Memoria de núcleo magnético

Un plano de memoria de base 32 x 32 almacenar 1024 bits de datos.

Memoria de la computadora tipos
Volátil
MEMORIA RAM
DRAM (por ejemplo, DDR SDRAM) SRAM
En el desarrollo
T-RAM Z-RAM
Histórico
Tubo Williams-Kilburn (1946-47) Memoria de línea de retardo (1947) Tubo de selectron (1953) Dekatron
No volátil
ROM
Máscara ROM FIESTA DE GRADUACIÓN EPROM EEPROM
NVRAM
Memoria Flash Almacenaje de estado sólido XPoint 3D
Etapa temprana NVRAM
nvSRAM FeRAM MRAM SILLA DE PASEO
Mecánica
Cinta magnética Unidad de disco duro Unidad de disco óptico
En el desarrollo
CBRAM SONOS RRAM Memoria de circuito NRAM Memoria de milpiés FJG RAM
Histórico
Almacenamiento de datos de papel (1725) Memoria de tambor (1932) Memoria de núcleo magnético (1949) Memoria de alambre plateado (1957) Memoria de la cuerda principal (1960s) Memoria de película delgada (1962) Memoria de Twistor (~ 1968) Memoria de burbuja (~ 1970)

Memoria de núcleo magnético era la forma predominante de acceso aleatorio memoria de la computadora durante 20 años entre cerca de 1955 y 1975. Tal memoria se llama a menudo memoria de base, o, informal, núcleo.

Núcleo utiliza pequeños magnético toroides (anillos), el núcleos de, a través de que los cables están roscadas para escribir y leer información. Cada núcleo representa una poco de la información. Los núcleos pueden ser magnetizados de dos formas diferentes (en sentido horario o antihorario) y el bit almacenado en un núcleo es cero o uno dependiendo de la dirección de magnetización de esa base. Los cables están dispuestos a permitir un núcleo individual se establece en un uno o un cero y su magnetización cambiarse enviando apropiado corriente eléctrica impulsos a través de cables seleccionados. El proceso de lectura de la base hace que la base para restablecer a cero, por lo tanto borrarlos. Esto se llama lectura destructiva. Cuando no se lee o escribe, los núcleos mantienen el último valor que tenían, incluso cuando se apaga. Esto hace que sean no volátil.

Con pequeños corazones y cables, la densidad de la memoria de base aumenta lentamente y por la década de 1960 una densidad de aproximadamente 32 kilobits por pie cúbico era típica. Sin embargo, alcanzar esta densidad necesaria fabricación extremadamente cuidadosa, casi siempre realizada a mano a pesar de repetidos esfuerzos importantes para automatizar el proceso. El costo disminuyó durante este período de alrededor de $1 por poco a cerca de 1 centavo por poco. La introducción de la primera memoria de semiconductor SRAM chips en la década de 1960 se empezaron a debilitar el mercado central. El primer éxito DRAM, la Intel 1103 que llegaron en cantidad en 1972 en 1 centavo por poco, marcó el comienzo del fin de la base. Mejoras en la fabricación de semiconductores condujeron a aumentos rápidos en almacenamiento y disminuciones en el precio que condujo a base del mercado por alrededor de 1974.

Aunque la memoria principal es obsoleto, cualquier memoria de la computadora todavía de vez en cuando se denomina "core"; en particular, un archivo de grabación de los contenidos de la memoria después de un error del sistema generalmente se llama un volcado de memoria.

Historia

Desarrolladores de

El concepto básico del uso de la Plaza histéresis lazo de ciertos materiales magnéticos como un almacenamiento o un dispositivo de conmutación fue conocido desde los primeros días de desarrollo informático. Gran parte de este conocimiento había desarrollado debido a una comprensión de transformadores, que permitió la amplificación y el rendimiento de interruptor-como al uso de ciertos materiales. El estable comportamiento de la conmutación fue bien conocida en el Ingeniería eléctrica campo y su aplicación en sistemas computacionales fue inmediata. Por ejemplo, J. Presper Eckert y Jeffrey Chuan Chu había hecho algún trabajo de desarrollo sobre el concepto en 1945 en el Escuela de Moore durante el ENIAC esfuerzos.

Frederick Viehe solicitó varias patentes sobre el uso de transformadores para la construcción de circuitos de lógica digitales en lugar de lógica de relé a partir de 1947. Una patente sobre un sistema completamente desarrollado de base fue en 1947 y posteriormente adquirida por IBM en 1956. Este desarrollo era poco conocido, sin embargo, y la línea principal de desarrollo de base normalmente está asociada con tres equipos independientes.

Importante labor en el campo se llevó a cabo por el Shanghai-nacido American físicos Una Wang y Manera-Dong Woo, que creó la dispositivo de control de transferencia pulso en 1949. El nombre que se refiere a la manera en que el campo magnético de los núcleos puede ser usado para controlar la conmutación de la corriente en sistemas electromecánicos. Wang y Woo estaban trabajando en La Universidad de Harvarddel laboratorio de cómputo en el momento y la Universidad no estaba interesado en la promoción de las invenciones creadas en sus laboratorios. Wang fue capaz de patentar el sistema por su cuenta.

El MIT Torbellino equipo requiere un sistema de memoria rápida en tiempo real uso de seguimiento de aeronaves. Al principio, Tubos Williams— un sistema de almacenamiento de información basado en tubos de rayos catódicos— fueron utilizados, pero estos dispositivos siempre temperamental y poco fiable. Varios investigadores a finales de 1940 concibieron la idea de la utilización de núcleos magnéticos para la memoria de la computadora, pero Jay Forrester recibió la patente principal para su invención de la memoria de base coincidente que permitió el almacenamiento 3D de información. William Papian de torbellino del proyecto citó uno de estos esfuerzos, "Estática magnética línea de retardo" de Harvard, en una nota interna. La primera memoria de núcleo de 32 x 32 x 16 bits se instaló en torbellino en el verano de 1953. Papian, describe: "almacenamiento de núcleo magnético tiene dos grandes ventajas: (1) mayor fiabilidad con una consecuente reducción de tiempo de mantenimiento dedicado a almacenamiento de información; (2) menor tiempo de acceso (tiempo de acceso de la base es 9 microsegundos: tiempo de acceso de tubo es aproximadamente de 25 microsegundos) aumentando así la velocidad de operación de equipo. "

En abril de 2011, Forrester ha recordado, "el uso de Wang de núcleos no tenía ninguna influencia en mi desarrollo de memoria de acceso aleatorio. La memoria de Wang era costoso y complicado. Según recuerdo, que puede no ser enteramente correcta, se utilizan dos núcleos por binario de bits y era esencialmente una línea de retardo que se movió un poco hacia adelante. En la medida en que puedo haber centrado en él, el enfoque no era adecuado para nuestros fines."describe la invención y los eventos asociados, en 1975. Forrester ha observado desde entonces, "nos llevó cerca de siete años convencer a la industria que memoria de núcleo magnético de acceso era la solución a un eslabón perdido en la informática. Luego nos pasó los siguientes siete años en los tribunales de patentes convencerlos de que había no todos pensaron de él primero."

Fue un desarrollador tercero involucrado en el desarrollo temprano de la base de Jan A. Rajchman en RCA. Un inventor prolífico, Rajchman diseñó un sistema de base única ferrita bandas envueltas en finos tubos de metal, construcción de sus primeros ejemplos utilizando un convertido aspirina Pulse en 1949. Rajchman también pasaría a desarrollar versiones de la Tubo de Williams y desarrollo de la Selectron.

Dos invenciones claves condujeron al desarrollo de la memoria de núcleo magnético en 1951. El primero, An Wang, fue el ciclo de lectura después de escritura, que resolvió el problema de cómo utilizar un medio de almacenamiento en el que el acto de lectura borra los datos leídos que permite la construcción de una serie, unidimensional registro de desplazamiento de o(50) bits, usando dos núcleos para almacenar un poco. Es un registro de cambio de base de Wang en la exposición de la revolución en la Computer History Museum. El segundo, Jay Forresterde, era el sistema de corriente coincidente, que permitió a un reducido número de cables para controlar un gran número de núcleos permitiendo e.g. matrices de memoria 3D de varios millones bits 8 K x 8 K x 64 bits.

El primer uso de la base estaba en la computadora del torbellino, y Torbellino del proyecto's "contribución más famosa fue la función de almacenamiento de acceso aleatorio, núcleo magnético". Comercialización siguió rápidamente.

Era principios de los años 1950 que Seeburg desarrolló el uso de este coincidente actual núcleo de ferrita de almacenamiento de memoria en la memoria "Tormat" de su nueva gama de máquinas de discos, a partir de la V200 lanzado en 1955. Trabajo de desarrollo fue terminado en 1953. Numerosos usos en la informática, telefonía e industrial control seguido.

Controversias sobre patentes

Patente de Wang no fue concedida hasta 1955, y en ese momento base ya estaba en uso. Esto comenzó una larga serie de demandas, que terminó cuando IBM compró la patente absoluta de Wang para US$ 500.000. Ahora utiliza los fondos para ampliar Laboratorios de Wang, que había fundado conjuntamente con el Dr. Chu Ge-Yao, un compañero de escuela de China. En 1964, después de años de disputas legales, IBM pagó MIT $ 13 millones por derechos de patente de Forrester, el establecimiento de patentes más grande a esa fecha.

Proyecto memoria de la base de torbellino, circa 1951

Sistema de corriente coincidente de Forrester requiere uno de los cables que se ejecutará en 45 grados a los corazones, que resultó imposibles al cable por la máquina, para que las matrices de base tuvieron que ser montado bajo microscopios por trabajadores con control motor fino. Inicialmente, los trabajadores fueron utilizados. Por finales de los años 1950 las plantas industriales se han establecido Asia del este para construir la base. Interior, cientos de trabajadores encadenan corazones para los bajos salarios. Esto baja el costo de la base hasta el punto donde se convirtió en gran parte universal como memoria principal por la década de 1960, reemplazando ambos bajo rendimiento económico memoria de tambor y el uso de costosos sistemas de alto rendimiento tubos de vacíoy más tarde transistores de, como la memoria. El costo de la memoria principal se redujo drásticamente durante la vida útil de la tecnología: costos comenzaron en aproximadamente US$ 1,00 por poco y se redujo a aproximadamente US$ 0,01 por poco. Base fue reemplazada por integrado semiconductor MEMORIA RAM chips en la década de 1970.

Memoria de base fue parte de una familia de tecnologías relacionadas, ahora olvidado, que explota las propiedades magnéticas de los materiales para realizar la conmutación y amplificación. Por la década de 1950, electrónica de tubo de vacío era bien desarrollado y muy sofisticado, pero tubos tenían una vida limitada, utilizan mucha más energía y eran mucho más grandes que el semiconductor o tecnología magnética y su características de funcionamiento cambiado en sus vidas. Dispositivos magnéticos tenían muchas de las virtudes de la discreta dispositivos de estado sólidos integrados que les sustituiría, y fueron utilizados extensivamente en aplicaciones militares. Un ejemplo notable fue el portable (carro-basado) MOBIDIC computadora desarrollado por Sylvania para la Cuerpo de señales del ejército de Estados Unidos en finales de los años 1950. El contenido de la memoria electrónica se perdieron cuando la electricidad fue desconectada, pero memoria de base fue no volátil y su contenido.

Descripción

Diagrama de un avión de 4 × 4 de la memoria de núcleo magnético en una X Y línea de configuración coincidente actual. X e Y son las líneas de impulsión, es sentido, es inhibir la Z. Las flechas indican la dirección de la corriente de escritura.

Primer plano de un avión de la base. La distancia entre los anillos es aproximadamente 1 mm (0,04 pulg). Los alambres horizontales verdes son X; los cables Y son marrón embotado y vertical, hacia la parte posterior. Los cables de sentido son diagonales, color naranja y los cables de supresión son pares trenzados vertical.

El término "núcleo" viene de convencional transformadores cuyos devanados rodean un núcleo magnético. Memoria principal, los cables pasan una vez por cualquier núcleo dado, son dispositivos de solo-dan vuelta. Las propiedades de los materiales utilizados para los núcleos de memoria son dramáticamente diferentes a los usados en transformadores de potencia. El material para una memoria de núcleo magnético requiere un alto grado de magnético remanencia, la capacidad de permanecer altamente magnetizada y una baja coercitividad para que menos energía es necesaria para cambiar la dirección de magnetización. La base puede tomar dos Estados, codificación de un bit, que puede ser leído cuando "seleccionado" por un "hilo de sentido". El contenido de la memoria principal se conserva incluso cuando el sistema de memoria está apagado)memoria no volátil). Sin embargo, cuando la base se lee, se restablece a un valor "cero". Circuitos en el sistema de memoria de la computadora entonces restauración la información en un ciclo de inmediato volver a escribir.

Cómo funciona la memoria de base

La forma más común de memoria de núcleo, X Y línea coincidente-actual, utilizado para la memoria principal de una computadora, consiste en un gran número de pequeñas toroidal ferromagnéticos cerámica ferritas (núcleos de) ligan en una estructura de rejilla (organizada como una "pila" de capas llamada planos), con alambres de tejidos a través de los agujeros en los centros de los corazones. En sistemas tempranos había cuatro cables: X, Y, Sentido, y Inhiben la, pero más adelante corazones combinan los últimos dos cables en uno Sentido/inhibir línea. Cada toroide almacena una poco (0 o 1). Un bit en cada plano se accedía en un ciclo, por lo que cada máquina palabra en un conjunto de palabras se extendió sobre una "pila" de planos. Cada plano manipularía un bit de una palabra en paralelo, permitiendo que la palabra completa para ser leídos o escritos en un solo ciclo.

Núcleo se basa en las propiedades de "loop cuadrado" del material de ferrita utilizado para hacer los toroides. Una corriente eléctrica en un alambre que pasa a través de un núcleo crea un campo magnético. Sólo un campo magnético mayores de una cierta intensidad ("select") puede causar la base cambiar su polaridad magnética. Para seleccionar una ubicación de memoria, uno de X y de las líneas Y se conducen con la mitad la corriente ("mitad-select") necesaria para causar este cambio. Sólo el campo magnético combinado generado donde cruzan las líneas X e Y (una función lógica y) es suficiente para cambiar el estado; otros núcleos ver sólo la mitad del campo necesarios ("mitad-seleccionado"), o ninguno en absoluto. Conduciendo la corriente a través de los cables en una dirección determinada, la resultante inducida por campo de las fuerzas de flujo magnético de la base seleccionada para circular en una dirección o la otra (hacia la derecha o hacia la izquierda). Una dirección es un almacenado 1, mientras que el otro es un almacenado 0.

La forma toroidal de un núcleo es preferible ya que el camino magnético es cerrado, no existen polos magnéticos y así muy poco externo flujo. Esto permite que los núcleos a agruparse estrechamente sin permitir que sus campos magnéticos interactuar. La posición de 45 grados alternados en una matriz de base ayuda a reducir cualquier acoplamiento callejero.

Lectura y la escritura

Diagrama de la histéresis curva para un núcleo de memoria magnética durante una operación de lectura. Pulso actual de la línea de sentido es alto ("1") o bajo ("0") en el estado de magnetización inicial del núcleo.

Para leer un poco de memoria de base, el circuito trata de hacer girar la broca a la polaridad asignada al estado 0, por la conducción del seleccionado X e Y rectas que se intersecan en esa base.

• Si ya estaba el bit 0, el estado físico de la base se ve afectado.
• Si la broca era previamente 1, el núcleo cambia de polaridad magnética. Este cambio, después de un retraso, induce un pulso de voltaje en la línea de sentido.

La detección de un pulso de tal significa que los bits más recientemente contenía un 1. Ausencia del pulso significa que el bit contenía un 0. El retraso en la detección del pulso de voltaje se llama la tiempo de acceso de la memoria de núcleo.

Después de cualquier tal lectura, la punta contiene un 0. Esto ilustra por qué se llama un acceso de memoria de base un lectura destructiva: Cualquier operación que lee el contenido de una base de borra los contenidos, e inmediatamente deben ser recreados.

Para escribir un poco de memoria de base, el circuito asume que ha habido una operación de lectura y la broca en el estado 0.

• Para escribir un bit 1, el seleccionado se clavan las líneas X e Y, con la corriente en la dirección opuesta en cuanto a la operación de lectura. Como con la lectura, la base en la intersección de las líneas X e Y cambios de polaridad magnética.
• Para escribir un bit 0 (en otras palabras, para inhibir la escritura de un bit 1), también se envía la misma cantidad de corriente a través de la inhibición. Esto reduce la corriente neta que circula a través del núcleo respectivo a la mitad la corriente seleccionar, inhibir el cambio de polaridad.

El tiempo de acceso más el tiempo para volver a escribir es la tiempo de ciclo de memoria.

El sentido se usa solamente durante la lectura, y el alambre de inhibición se utiliza sólo durante la escritura. Por esta razón, más adelante sistemas de núcleo combinan los dos en un solo cable y utilizan circuitos en el controlador de memoria para cambiar la función del alambre.

Controladores de memoria de base fueron diseñados para que cada lectura fue seguida inmediatamente por una escritura (porque la lectura había obligada todos los bits a 0, y porque la escritura supone que esto había sucedido). Equipos comenzaron a tomar ventaja de ello. Por ejemplo, un valor en memoria se podía leer con posterior incremento casi tan rápido como se podría leer; el hardware simplemente incrementa el valor entre la fase de leer y la fase de escritura de un ciclo de solo memoria (quizás señalar el controlador de memoria para detener brevemente en la mitad del ciclo). Esto puede ser dos veces tan rápido como el proceso de obtener el valor con un ciclo de lectura y escritura, incrementando el valor en un registro del procesador y luego escribir el nuevo valor con otro ciclo de lectura y escritura.

Otras formas de memoria de base

10.8 × 10. plano de 8 cm de la memoria de núcleo magnético con 64 x 64 bits (4 Kb), en un CDC 6600. Programas de inserción línea de palabra arquitectura con dos cables por poco

Línea de palabra memoria principal era de uso frecuente para proporcionar memoria de registro. Otros nombres para este tipo son selección lineal y 2-D. Esta forma de memoria de base típicamente tejió tres hilos por cada núcleo en el plano, lectura de la palabra, escritura de la palabra, y poco sentido y escritura. Para leer o borrar palabras, la corriente completa se aplica a uno o más lectura de la palabra líneas; Esto borra los núcleos seleccionados y que flip inducen pulsos de voltaje en sus poco sentido y escritura líneas. Para leer, normalmente sólo una lectura de la palabra línea serán seleccionada; pero para clara, múltiples lectura de la palabra podrían seleccionarse líneas mientras que el poco sentido y escritura líneas ignoradas. Para escribir palabras, la corriente media se aplica a uno o más escritura de la palabra líneas y la corriente media se aplica a cada uno poco sentido y escritura línea para un poco para fijarse. En algunos diseños, la lectura de la palabra y escritura de la palabra las líneas fueron combinadas en un solo cable, dando por resultado una matriz de memoria con sólo dos cables por pedacito. Para escritura, varios escritura de la palabra líneas podrían ser seleccionadas. Esto ofrece una ventaja de desempeño sobre X Y línea coincidente-actual en que varias palabras podrían borra o escritos con el mismo valor en un solo ciclo. Sistema de registro de una máquina típica utiliza generalmente solamente un pequeño avión de esta forma de memoria principal. Recuerdos muy grandes fueron construidos con esta tecnología, por ejemplo la Almacenamiento base extendida Memoria auxiliar (ECS) en el CDC 6600, que era hasta 2 millones de palabras de 60 bits.

Otra forma de memoria principal llamados memoria de la cuerda principal siempre almacenamiento de sólo lectura. En este caso, los corazones, que tenían más materiales magnéticos lineales, fueron utilizados simplemente como transformadores; no información realmente se almacena magnéticamente dentro de los corazones individuales. Cada bit de la palabra tenía un núcleo. Leer el contenido de una dirección de memoria dada genera un pulso de corriente en un alambre correspondiente a esa dirección. Cada cable de dirección fue roscada a través de un núcleo para significar un binario [1], o alrededor de esa base, para significar un binario [0]. Como era de esperar, los corazones eran mucho más grandes físicamente que los de la memoria principal de lectura y escritura. Este tipo de memoria fue excepcionalmente confiable. Un ejemplo fue la Computadora de orientación Apollo utilizado para los aterrizajes de la luna.

Características físicas

Esto microSDHC tarjeta tiene 8 billones de bytes (8 GB). Se reclina sobre una sección de memoria de núcleo magnético que utiliza 64 núcleos para mantener ocho bytes. La tarjeta microSDHC tiene más de un millones de veces más bytes en mucho menos espacio físico.

Memoria de núcleo magnético, 18 x 24 bits, con un Cuarto de los E.E.U.U.

Primer plano de la memoria de núcleo magnético

En un ángulo

El rendimiento de las memorias de núcleo tempranos puede ser caracterizado en términos de hoy es muy comparable a una tasa de reloj de 1 MHz (equivalente a principios del decenio de 1980 computadoras en casa, como la Apple II y Commodore 64). Primeros sistemas de memoria de base tenían ciclos de unos 6 μs, que había caído a 1,2 μs en la década de 1970 y mediados de la década de los 70 era hasta 600 ns (0,6 μs). Algunos diseños tenían un rendimiento substancialmente más alto: la CDC 6600 tenía una memoria ciclo de tiempo de 1,0 μs en 1964, con corazones que requieren una selección de medio corriente de 200 mA. Hacer todo lo posible para disminuir los tiempos de acceso y aumentar las tasas de datos (ancho de banda), incluyendo el uso simultáneo de múltiples redes de núcleo, cada almacena un bit de una palabra de datos. Por ejemplo, una máquina puede utilizar 32 rejillas de base con un solo bit de la 32-bit palabra en cada uno y el controlador podría acceder a la palabra completa de 32 bits en un ciclo de solo lectura y escritura.

Memoria principal es almacenamiento no volátil— puede conservar su contenido indefinidamente sin energía. También es relativamente inafectado por EMP y la radiación. Estos fueron importantes ventajas para algunas aplicaciones como primera generación industrial controladores programables, instalaciones militares y vehículos como aviones de combate, así como nave espacialy conducido a la base para un número de años después de la disponibilidad de semiconductor Memoria MOS (véase también MOSFET). Por ejemplo, la Lanzadera de espacio vuelo equipos inicialmente utilizados núcleo memoria, que conserva el contenido de la memoria incluso a través del Challengerde la desintegración y posterior inmersión en el mar en 1986. Otra característica de los principios fundamentales era que la fuerza coactiva muy sensibles a la temperatura; la actual selección del medio adecuada a una temperatura no es la adecuada corriente de selección del medio a otra temperatura. Para un controlador de memoria incluye un sensor de temperatura (típicamente un termistor) para ajustar los niveles actuales correctamente los cambios de temperatura. Un ejemplo de esto es la memoria de base utilizada por Digital Equipment Corporation para su PDP-1 computadora; Esta estrategia continuó a través de todos los sistemas de seguimiento de base de memoria construidos por DEC para su PDP línea de equipos refrigerados por aire. Otro método de manejar la sensibilidad de temperatura fue incluir el núcleo magnético 'pila' en una temperatura controlada de horno. Ejemplos de esto son la memoria de núcleo de aire caliente de la IBM 1620 (que podría tomar hasta 30 minutos para llegar a temperatura de funcionamiento, alrededor de 106 ° F (41 ° C) y la memoria de núcleo de baño de aceite caliente de la IBM 7090, temprano IBM 7094S, y IBM 7030.

Núcleo se calienta en vez de enfriado porque el requisito principal era un consistente temperatura y fue más fácil (y barato) para mantener una temperatura constante muy por encima de la temperatura que en o debajo de él.

En 1980, el precio de un tablero de memoria de base 16 kW (kiloword, equivalente a 32 kB) que instalado en una computadora DEC Q bus estaba alrededor de US$ 3.000. En aquel momento, matriz de núcleo y soporte electrónica caben en un tablero de circuito impreso solo unos 25 x 20 cm de tamaño, la matriz core fue montada unos mm por encima de la placa y estaba protegida con una placa de metal o de plástico.

Diagnóstico de problemas de hardware en la memoria de núcleo requiere programas de diagnóstico desperdiciadoras de tiempo para ejecutarse. Mientras que una prueba rápida comprueba si cada bit puede contener un uno y un cero, estos diagnósticos prueban la memoria de núcleo con los peores patrones y tuvieron que funcionar durante varias horas. Como la mayoría de las computadoras tenía sólo un tablero de memoria de núcleo único, estos diagnósticos también trasladar ellos mismos en la memoria, lo que es posible probar cada poco. Pruebas avanzadas fue llamado un "Schmoo prueba"en que las corrientes de media selección fueron modificadas junto con el momento en que la línea de sentido fue probado (iluminado" estroboscópicamente"). La trama de datos de esta prueba parece asemejarse a un personaje de dibujos animados llamado"Schmoo"y el nombre pegado. En muchas ocasiones, errores pueden resolverse por suavemente golpear ligeramente la placa de circuito impreso con la matriz de base sobre una mesa. Esta ligeramente había cambiado las posiciones de los núcleos a lo largo de los cables de corriente a través de ellos y podría solucionar el problema. El procedimiento rara vez se necesitaba, como memoria principal demostró para ser muy confiable en comparación con otros componentes de la computadora del día.

Véase también

• Memoria de línea de retardo
• Volcado de memoria
• Memoria de la cuerda principal
• Memoria de Twistor
• Memoria de burbuja
• Memoria de película delgada
• MRAM
• Ferroeléctricos RAM
• Calculadoras electrónicas – Algunos primeros modelos desktop utilizan memoria de núcleo magnético.

Referencias

Patentes de

• Los E.E.U.U. patente 2.667.542 "Conectar dispositivo eléctrico" (conmutador de matriz con núcleos de hierro que funciona como un interruptor de punto de Cruz. Una serie de entradas de señal analógica o por teléfono se puede encaminar a Y salidas), archivado el septiembre de 1951, publicado enero de 1954
• Los E.E.U.U. patente 2.708.722 "transferencia pulso control de dispositivos", Una Wang presentado en octubre de 1949, publicado en mayo de 1955
• Los E.E.U.U. patente 2.736.880 "Dispositivo de almacenamiento de información digital multicoordinate" (sistema actual coincidente), Jay Forrester presentado en mayo de 1951, publicado 28 de febrero de 1956
• Los E.E.U.U. patente 2.970.291 "Circuito de relé electrónico" (las notas de la patente "mi invención se refiere a circuitos eléctricos con relés...") presentado el 28 de mayo de 1947, publicado el 31 de enero de 1961.
• Los E.E.U.U. patente 2.992.414 "Transformador de la memoria" (el patente señala que "mi invención se refiere a los circuitos de relais eléctrico y más particularmente a mejorar transformadores para uso en esto.") presentado el 29 de mayo de 1947, emitido el 11 de julio de 1961.
• Los E.E.U.U. patente 3.161.861 "memoria de núcleo magnético" (mejoras) Ken Olsen presentado en noviembre de 1959, publicado en diciembre de 1964
• Los E.E.U.U. patente 3.264.713 "Método de fabricación de estructuras principales de memoria" (las notas de la patente "esta invención se refiere a dispositivos de memoria magnética y más particularmente a un método de hacer lo mismo... y estructura de la base de nuevas y mejoradas de la memoria") presentó el 30 de enero de 1962, publicado el 09 de agosto de 1966.
• Los E.E.U.U. patente 3.421.152 "Lineal selecciona controles y sistema de memoria magnética para ellos", w. J. Mahoney, emitido el 07 de enero de 1969
• Los E.E.U.U. patente 4.161.037 "memoria de núcleo de ferrita" (producción automatizada), julio de 1979
• Los E.E.U.U. patente 4.464.752 "evento múltiples endurecido memoria principal" (protección contra la radiación), agosto de 1984

Acoplamientos externos

• Tutorial de Java interactivo - memoria de núcleo magnético Laboratorio alto nacional del campo magnético
• Memoria de base Universidad de Columbia
• Manual de la marina de guerra
• Memoria de base en el PDP-11
• Memoria de base y otros tipos de memoria temprana visitado el 15 de abril de 2006
• Memorias de núcleo de ferrita actual coincidente Revista byte, Julio de 1976
• Casio AL-1000 Calculadora – Muestra primeros planos de la memoria de núcleo magnético en esta calculadora de escritorio electrónica de mediados de la década de 1960.
• Sigue usando memoria de base en múltiples dispositivos en un museo alemán de la computadora
• Una memoria de núcleo de ferrita de 110 nanosegundos
• fondo en memoria de base para equipos

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