Electrón Pro
Electrón/EEAC Pro es el sistema de designación y registro de tipo europeo para componentes activos (tales como semiconductores, pantallas de cristal líquido, dispositivos de sensor, tubos electrónicos y tubos de rayos catódicos).
Electrón Pro se estableció en 1966 en Bruselas, Bélgica. En 1983 fue combinado con el Asociación de fabricantes europeos de componentes electrónicos (EEAC) y desde entonces funciona como una agencia de la EECA.
El objetivo del electrón Pro es permitir la identificación inequívoca de los componentes electrónicos, incluso cuando hechas por varios fabricantes diferentes. Con este fin, fabricantes de registrar nuevos dispositivos con la agencia y reciben designadores de tipo nuevo para ellos.
Contenido
- 1 Sistema de designación
- 1.1 Diferencias entre Pro electrón y convenciones de nomenclatura válvula anteriores
- 1.2 Utilizado con frecuencia primeras letras en dispositivos activos europeos
- 2 Tubos del electrón
- 3 Los transistores y los diodos semiconductores
- 4 Circuitos integrados
- 5 Véase también
- 6 Referencias
- 7 Enlaces externos
Sistema de designación
Son ejemplos de designadores de tipo electrón Pro:
- AD162 – potencia de germanio transistor para el uso de frecuencia audio
- BY133 – Rectificador de silicio
- BZY88C5V1 – silicio 5,1 voltios Diodo Zener
- CQY97 – diodo electroluminoso
- ECC83 – triodo dual noval de 6,3 voltios calentador
- A63EAA00XX01 – tubo de imagen del televisor a Color
- SAA1300 – circuito integrado Digital
Electrón Pro tomó al popular europeo en el uso de 1934 alrededor de válvulas (sistema de codificacióntubos), es decir, la Designación del tubo Mullard – Philipsy esencialmente reasigna varias de las designaciones del calentador raramente usado (primera letra del número de parte) de semiconductores. La segunda carta fue utilizada en una manera similar a las válvulas de Convención de nomenclatura: "A" para el diodo de señal, para el transistor bipolar de baja potencia o triodo, "D" de alta potencia del transistor (o triodo), "C" y "Y" para el rectificador, pero otras designaciones de letras no siguió tan de cerca el modo de tubo de vacío.
Los tres dígitos (o letra seguido de dos dígitos) después de las dos primeras letras fueron esencialmente un número de secuencia, con (al principio) un vestigio de la Convención de la válvula de la época que el primero uno o dos dígitos indicarían la base (paquete) tipo en ejemplos tales como la familia de los transistores de propósito generales:
| Paquete | NPN | PNP |
|---|---|---|
| A-18 | BC10x | BC17x |
| Lockfit | BC14x | BC15x |
| A-92 | BC54x | BC55x |
... donde x puede ser:
- 7 de alto voltaje
- 8 para uso general
- 9 para ruido baja/alta ganancia
Electrón Pro nombramiento para los transistores y los diodos Zener es ampliamente ocupado por los fabricantes de semiconductores del mundo. Electrón Pro nombramiento de circuitos integrados, aparte de algunas especiales (e.g. televisión procesado de señal) fichas, no tomó enormemente presionado (en Europa). Se utilizaron otros sistemas de designación popular para muchos de los circuitos integrados.
Diferencias entre Pro electrón y convenciones de nomenclatura válvula anteriores
- A diferencia de la Convención de nomenclatura del tubo, si hay dos transistores en un solo sobre, la letra no fue repetida nunca - para un transistor NPN RF dual podría conseguir un tipo "BFM505" en lugar de algo como por ejemplo "BFF505".
- Aunque algunos de los dispositivos más populares se ajustan a un patrón de números de serie que identifica la polaridad y el tipo de paquete, muchos no lo hacen.
- Las letras asignadas para el segundo personaje del transistor y el diodo tipo números difieren en varias formas, por ejemplo
- "B" suele utilizarse para doble Varicap diodos
- "L" en el contexto de los transistores señala los transistores de potencia (transmitir) RF; para las válvulas que significaba un tubo de alta potencia pentodo (la opción habitual de potencia RF)
- "Z" se utiliza para semiconductor diodo Zener en lugar de válvulas () del rectificador (onda completa)tubos).
Utilizado con frecuencia primeras letras en dispositivos activos europeos
-
- A Germanio (o cualquier semiconductor con cruces en un material con un boquete de la venda de 0,6 a 1,0 eV)
- B Silicio (o la brecha de la banda de 1.0 a 1.3 eV)
- C III-V semiconductores con un boquete de la venda de 1,3 eV o más, como Arseniuro de galio en LED
- D Quizás...
- Semiconductores con un boquete de la venda menos de 0.6 eV, tales como Antimonide del indio en detectores infrarrojos (raramente usado), or
- (Mullard – Philips) 1.4V (o menos) los tubos del filamento
- E (Mullard – Philips) los tubos con un 6.3V calentador
- F Circuitos integrados digitales
- P Suministro de tubos (Mullard – Philips) para un calentador serie 300mA
- R Dispositivos sin conexiones, por ejemplo sulfuro de cadmio en un fotoresistor
- S Circuitos integrados digitales solitarios
- T Circuitos integrados lineales
- U Quizás...
- Suministro de tubos (Mullard – Philips) para un calentador serie 100mA, or
- Mezclar los circuitos integrados analógico/digital
Tubos del electrón
- Ver Designación del tubo Mullard – Philips para obtener más detalles. Un breve resumen de Sólo el más común cartas es:
ECC81
/ \ \\__ últimos dígitos dan el número de serie / \ \__ primeros dígitos indican base (3 = octal, 8 o 18 o 80 =Noval (B9A)9 =Miniatura de 7 pines (B7G).
/ \___ una letra por unidad de la válvula en el tubo: D = 1.4v o menos A = single-diodo (baja potencia) E = 6.3v* B = (doble-diodogeneralmente cátodo común, Pero no siempre) P = 300mA C = triodo U = 100mA F = pentodo (baja potencia) L = pentodo (alta potencia) Y = rectificador monofásico Z = rectificador de onda completa * Nota: algunos tipos de calentador 6,3 voltios tienen un split calentador permitiendo (12,6 voltios; el valor predeterminado de la serie Noval pines 4 y 5) o (6,3 voltios) operaciones en paralelo.
Los transistores y los diodos semiconductores
Como se describe arriba, la primera letra da el tipo de semiconductor; la segunda letra indica el uso previsto:
| 2ª carta | Uso | Ejemplo |
|---|---|---|
| A | Low-power/small-signal diodo | AA119, BA121 |
| B | Diodo Varicap | BB105G |
| C | Transistor de pequeña señal, RthG > 15K/W | BC546C |
| D | Transistor de energía de baja frecuencia, alta potencia, RthG ≤ 15K/W | BD139 |
| E | Diodo del túnel (Esaki) | AE100 |
| F | Bajo consumo de energía, RF (alta frecuencia) bipolar o FETRthG > 15K/W | BF245 |
| G | Dispositivo híbrido | BGY32, BGY585 |
| H | Sensor de efecto Hall/Diode | |
| L | Transistor de alta frecuencia, alta potencia (para los transmisores), RthG ≤ 15K/W | BLW34 |
| M | Modulador del anillo-tipo mezclador de frecuencia | |
| N | Opto-aislador | CNY17 |
| P | (Detector de radiaciónfotodiodo, fototransistor) | BPW34 |
| Q | (Generador) radiaciónLED) | CQY99 |
| R | Control de baja potencia o dispositivo de conmutación: tiristores, Diacs, Triacs, UJTs, los transistores uniunión programable (PUT), silicio bidireccional interruptor (SBS), opto-triac etc.. | BR100 |
| S | Conmutación del transistor, bipolar de baja potencia o MOSFETRthG > 15K/W | BS170 |
| T | Control de alta potencia o dispositivo de conmutación: tiristores, Triac, silicio bidireccional (SBS), etc.. | BT138 |
| U | Alta potencia de conmutación de los transistores, bipolares o MOSFETRthG ≤ 15K/W | BU508, BUZ11 |
| V | Antena | |
| W | Dispositivo acústico-superficie-wave | |
| X | Multiplicador de frecuencia: Varactor, paso del diodo de recuperación | |
| Y | Diodo rectificador de alta potencia | BY228 |
| Z | Avalancha, TV, Zener diodo | BZY91 |
Sigue a un número de secuencia de 3 dígitos (o una carta luego 2 dígitos, de tipo industrial).[1] Los ejemplos son:
| Prefijo de número de clase | Uso | Ejemplo |
|---|---|---|
| AC | Germanio transistor de pequeña señal | AC126 |
| AF | Germanio RF transistor | AF117 |
| BC | Silicio, transistor de pequeña señal ("allround") | BC548B |
| BD | Transistor del silicio | BD139 |
| BF | Silicio RF (alta frecuencia) BJT o FET | BF245 |
| BS | Silicio transistor, bipolar de conmutación o MOSFET) | BS170 |
| BL | Silicio alta frecuencia, alta potencia (para transmisores) | BLW34 |
| BU | Alto voltaje del silicio (para CRT circuitos de deflexión horizontal) | BU508 |
Con los primeros dispositivos, el número indica el tipo de caso. Sufijos pueden utilizarse, como una letra (por ejemplo "C" significa a menudo alto hFE, como en: BC549C[2]). Otros códigos pueden seguir para mostrar la ganancia (e.g. BC327-25) o voltaje (por ejemplo BUK854-800A[3]). Un BC546 sólo puede ser marcado "C546", posiblemente creando confusión con JIS abreviado marcas, porque un transistor marcado "C546" también podría ser un 2SC546.
- Breve Resumen de las designaciones del diodo y transistor semiconductor
BC549C / \ \ \___ variante (A, B, C para transistores implica baja, media o alta ganancia) / \ \___ número de serie (3 dígitos o carta y 2 dígitos) / \___ tipo de dispositivo: A = germanio A = diodo de señal B = C silicio = transistor de baja potencia LF C = GaAs D = transistor de energía F = transistor de RF (o FET) P = transistor fotosensible T = Triac o tiristor Y = diodo rectificador Z = diodo Zener
Circuitos integrados
- Lineares ICs comienzan con la letra "T", por ejemplo, TAA570 – amplificador del limitador y detector de FM.
- Lógica ICs empiezan con la letra "F".
- La familia de FJ TTL (por ejemplo el FJH231, es un cuádruple 2 entradas Colector abierto Puerta NAND equivalente a la SN7401)
- La familia FC DTL
- La familia de FD MOS.
- Mixto analógico/digital ICs empiezan con la letra "U", por ejemplo gráfico de barras de LED UAA180 A/D y el conductor.
FCH171 / / \ \__ número de serie, da la cuenta y el tipo de puertas por ejemplo / / \___ H = puerta ("circuito combinatorio") J = flip-flop K = monoestable Q =RAM R =ROM etc.
FC =DTL
FD =MOS
FJ =TTL
Lamentablemente el número de serie no especifica el mismo tipo de puerta en cada familia, por ejemplo mientras que un FJH131 es un cuádruple 2 entradas Puerta NAND (como el 7400), un FCH131 es una doble puerta NAND de 4 entradas.[1]
Véase también
- JEDEC
- Designación de semiconductor JIS
- Designación del tubo Mullard – Philips
- Designación del tubo RMA
- Designación del tubo RETMA
- Designaciones de tubo ruso
Referencias
- ^ a b "Tipo europeo designación código sistema de componentes electrónicos" (16 Ed.). Pro electrón, Bruselas, Bélgica. De julio de 2010. 26 de diciembre de 2013.
- ^ Hoja de datos para BC549, con A, B y C obtener agrupaciones
- ^ hoja de datos para BUK854-800A (800 voltios IGBT)
Enlaces externos
- Electrón Pro
- Sistema de código de designación de tipo europeo para componentes electrónicos (15 ed)Pro-electrón, Bruselas, Bélgica, 6/2008; con los sistemas de designación de tubo